NTHS5404T1G、SI5404BDC-T1-E3、SI5404BDC-T1-GE3对比区别

高亮显示差异参数

型号 NTHS5404T1G SI5404BDC-T1-E3 SI5404BDC-T1-GE3

描述 ON SEMICONDUCTOR  NTHS5404T1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 20 V, 25 mohm, 4.5 V, 600 mVN 沟道 20 V 0.028 Ohm 表面贴装 功率 MosFet - ChipFET-1206-8VISHAY  SI5404BDC-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 7.5A, 1206

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SMD-8 1206 1206

封装(公制) - - 3216

额定电压(DC) 20.0 V - -

额定电流 5.20 A - -

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 25 mΩ 0.022 Ω 0.039 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 1.3 W 1.3 W 1.3 W

阈值电压 600 mV 600 mV 1.5 V

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 20.0 V - -

栅源击穿电压 ±12.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 7.20 A 7.50 A 7.50 A

上升时间 7 ns 12 ns 12 ns

输入电容(Ciss) 740pF @16V(Vds) - -

额定功率(Max) 1.3 W - -

下降时间 28 ns 10 ns 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1.3W (Ta) 1300 mW -

长度 3.1 mm 3.1 mm 3.2 mm

宽度 1.7 mm - 1.6 mm

高度 1.1 mm 1.1 mm -

封装 SMD-8 1206 1206

封装(公制) - - 3216

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active - -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 - -