SI5404BDC-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.039 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.3 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 7.50 A
上升时间 12 ns
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装公制 3216
封装 1206
外形尺寸
长度 3.2 mm
宽度 1.6 mm
封装公制 3216
封装 1206
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SI5404BDC-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI5404BDC-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI5404BDC-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI5404BDC-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 7.5A, 1206 | 搜索库存 |
替代型号SI5404BDC-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI5404BDC-T1-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： 1206 N-Channel 20V 7.5A | 当前型号 | VISHAY SI5404BDC-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 7.5A, 1206 | 当前型号 |
| 型号： SI5404BDC-T1-E3 品牌： 威世 封装： TO-263 N-Channel 20V 7.5A 30mohms | 类似代替 | N 沟道 20 V 0.028 Ohm 表面贴装 功率 MosFet - ChipFET-1206-8 | SI5404BDC-T1-GE3和SI5404BDC-T1-E3的区别 |
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