LBC856BLT1G、LBC856BLT3G、BC856BRFG对比区别

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型号 LBC856BLT1G LBC856BLT3G BC856BRFG

描述 LBC856BLT1GGeneral Purpose Transistors PNP Silicon250mW, PNP Small Signal Transistor

数据手册 ---

制造商 Leshan Radio (乐山无线电) Leshan Radio (乐山无线电) Taiwan Semiconductor (台湾半导体)

分类

封装 SOT-23-3 SOT-23 -

安装方式 - Surface Mount -

极性 PNP - -

击穿电压(集电极-发射极) 65 V - -

集电极最大允许电流 100mA - -

最小电流放大倍数(hFE) 220 - -

最大电流放大倍数(hFE) 475 - -

封装 SOT-23-3 SOT-23 -

产品生命周期 Unknown Unknown Active

最小包装 3000 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - -