LBC856BLT1G
数据手册.pdfLeshan Radio(乐山无线电)
电子元器件分类
LBC856BLT1G中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 65 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 220
最大电流放大倍数hFE 475
封装参数
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Unknown
最小包装 3000
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
LBC856BLT1G引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| LBC856BLT1G | Leshan Radio 乐山无线电 | LBC856BLT1G | 搜索库存 |
替代型号LBC856BLT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： LBC856BLT1G 品牌： Leshan Radio 乐山无线电 封装： | 当前型号 | LBC856BLT1G | 当前型号 |
| 型号： LBC856BWT1G 品牌： 乐山无线电 封装： | 类似代替 | 三极管晶体管 LBC856BWT1G SC-70SOT-323 PNP Vceo=-65V Ic=-100mA HFE=220-475 | LBC856BLT1G和LBC856BWT1G的区别 |
| 型号： BC856B 品牌： Diotec Semiconductor 封装： SOT-23 | 功能相似 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A IC, 65V VBRCEO, 1Element, PNP, Silicon, TO-236, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 | LBC856BLT1G和BC856B的区别 |
| 型号： LBC856BLT3G 品牌： 乐山无线电 封装： | 功能相似 | General Purpose Transistors PNP Silicon | LBC856BLT1G和LBC856BLT3G的区别 |