MJE371、MJE371G对比区别
描述 塑料中功率PNP硅晶体管 Plastic Medium−Power PNP Silicon TransistorON SEMICONDUCTOR MJE371G 单晶体管 双极, PNP, 40 V, 40 W, 4 A, 40 hFE
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 - 3
封装 TO-126-3 TO-126-3
额定电压(DC) -40.0 V -40.0 V
额定电流 -4.00 A -4.00 A
针脚数 - 3
极性 PNP PNP, P-Channel
耗散功率 40 W 40 W
击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V
集电极最大允许电流 4A 4A
最小电流放大倍数(hFE) 40 @1A, 1V 40 @1A, 1V
额定功率(Max) 40 W 40 W
直流电流增益(hFE) - 40
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 4000 mW
宽度 2.66 mm 2.66 mm
封装 TO-126-3 TO-126-3
长度 7.74 mm -
高度 11.04 mm -
材质 - Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Bulk Bulk
最小包装 500 -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99