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MJE371、MJE371G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJE371 MJE371G

描述 塑料中功率PNP硅晶体管 Plastic Medium−Power PNP Silicon TransistorON SEMICONDUCTOR  MJE371G  单晶体管 双极, PNP, 40 V, 40 W, 4 A, 40 hFE

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-126-3 TO-126-3

额定电压(DC) -40.0 V -40.0 V

额定电流 -4.00 A -4.00 A

针脚数 - 3

极性 PNP PNP, P-Channel

耗散功率 40 W 40 W

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V

集电极最大允许电流 4A 4A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @1A, 1V 40 @1A, 1V

额定功率(Max) 40 W 40 W

直流电流增益(hFE) - 40

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 4000 mW

宽度 2.66 mm 2.66 mm

封装 TO-126-3 TO-126-3

长度 7.74 mm -

高度 11.04 mm -

材质 - Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Bulk Bulk

最小包装 500 -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99