MJE371中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -40.0 V
额定电流 -4.00 A
极性 PNP
耗散功率 40 W
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 40 @1A, 1V
额定功率Max 40 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-126-3
外形尺寸
长度 7.74 mm
宽度 2.66 mm
高度 11.04 mm
封装 TO-126-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
最小包装 500
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MJE371引脚图与封装图
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在线购买MJE371
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJE371 | ON Semiconductor 安森美 | 塑料中功率PNP硅晶体管 Plastic Medium−Power PNP Silicon Transistor | 搜索库存 |
替代型号MJE371
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJE371 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-225AA PNP -40V -4A | 当前型号 | 塑料中功率PNP硅晶体管 Plastic Medium−Power PNP Silicon Transistor | 当前型号 |
| 型号： MJE371G 品牌： 安森美 封装： TO-225AA PNP -40V -4A 4000mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MJE371G 单晶体管 双极, PNP, 40 V, 40 W, 4 A, 40 hFE | MJE371和MJE371G的区别 |