FDS6911
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS6911中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 20.0 V
额定电流 7.50 A
通道数 2
漏源极电阻 0.013 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.6 W
阈值电压 1.8 V
输入电容 1.13 nF
栅电荷 24.0 nC
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 7.50 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 1130pF @15VVds
额定功率Max 900 mW
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1600 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS6911引脚图与封装图
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在线购买FDS6911
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS6911 | Fairchild 飞兆/仙童 | FDS6911 系列 20 V 13 mOhm 双 N沟道 逻辑电平 PowerTrench® MOSFET-SOIC-8 | 搜索库存 |
替代型号FDS6911
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS6911 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 20V 7.5A 13mohms 1.13nF | 当前型号 | FDS6911 系列 20 V 13 mOhm 双 N沟道 逻辑电平 PowerTrench® MOSFET-SOIC-8 | 当前型号 |
| 型号： FDS6894A 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 20V 8A 17mohms 1.68nF | 类似代替 | 双N沟道逻辑电平PWM优化的PowerTrench MOSFET Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET | FDS6911和FDS6894A的区别 |
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| 型号： IRF7331TRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL Dual N-Channel 20V 7A | 功能相似 | N 沟道 20 V 2 W 13 nC 功率 Mosfet 表面贴装 - SOIC-8 | FDS6911和IRF7331TRPBF的区别 |