2N7002,215、2N7002ET1G、BST82,215对比区别

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型号 2N7002,215 2N7002ET1G BST82,215

描述 Nexperia Si N沟道 MOSFET 2N7002,215, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装ON SEMICONDUCTOR  2N7002ET1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 0.86 ohm, 10 V, 1 VNXP  BST82,215  晶体管, MOSFET, N沟道, 190 mA, 100 V, 5 ohm, 5 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Nexperia (安世) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 2.8 Ω 0.86 Ω 5 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 0.83 W 420 mW 830 mW

阈值电压 2 V 1 V 2 V

输入电容 31 pF 26.7 pF -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 300 mA 310 mA 190 mA

正向电压(Max) 1.2 V 1.2 V -

输入电容(Ciss) 50pF @10V(Vds) 26.7pF @25V(Vds) 40pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 830 mW 300 mW 830 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 830 mW 300 mW 830mW (Tc)

无卤素状态 - Halogen Free -

通道数 - 1 1

上升时间 - 1.2 ns -

下降时间 - 3.6 ns -

长度 3 mm 2.9 mm -

宽度 1.4 mm 1.3 mm 1.4 mm

高度 1 mm 0.94 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -