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SN65LVDS100DGK、SN65LVDT101DGK、MC100EP16DG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SN65LVDS100DGK SN65LVDT101DGK MC100EP16DG

描述 TEXAS INSTRUMENTS  SN65LVDS100DGK.  芯片, 电平变换器TEXAS INSTRUMENTS  SN65LVDT101DGK  芯片, 差分中继器, 2GBPS, MSOP8ON SEMICONDUCTOR  MC100EP16DG  芯片, ECL 100 逻辑器件

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ON Semiconductor (安森美)

分类 电压电平转换器电压电平转换器逻辑芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 MSOP-8 MSOP-8 SOIC-8

电源电压(DC) 3.00V (min) 3.00V (min) 3.00V (min)

输出电流 12 µA 0.012 mA -

供电电流 25 mA 50 mA 32 mA

通道数 1 1 -

针脚数 8 8 8

耗散功率 377 W 481 W -

数据速率 2.00 Gbps 2.00 Gbps -

输入电容 .6 pF 0.6 pF -

输入电流(Min) 66 μA 33 μA -

输入数 2 2 2

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 377 mW 377 mW -

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 5.5V

电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V 5.5 V

电源电压(Min) 3 V 3 V 3 V

无卤素状态 - - Halogen Free

逻辑门个数 - - 1

上升时间 220 ps - -

封装 MSOP-8 MSOP-8 SOIC-8

长度 3 mm - 5 mm

宽度 3 mm - 4 mm

高度 0.97 mm - 1.5 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Each Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99