FDP6030BL、ISL9N322AP3、STP27N3LH5对比区别

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型号 FDP6030BL ISL9N322AP3 STP27N3LH5

描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。N沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETsTrans MOSFET N-CH 30V 27A 3Pin(3+Tab) TO-220 Tube

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 40.0 A - -

漏源极电阻 15.0 mΩ 22.0 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 60 W 50.0 W 45 W

输入电容 1.16 nF - -

栅电荷 12.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 40.0 A 20.0 A -

上升时间 11 ns - 22 ns

输入电容(Ciss) 1160pF @15V(Vds) - 475pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 60 W - 45 W

下降时间 8 ns - 2.8 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 60W (Tc) - 45W (Tc)

通道数 - - 1

长度 10.67 mm - -

宽度 4.83 mm - -

高度 9.4 mm - -

封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3

工作温度 -65℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -