BS108ZL1、BS108ZL1G、BS108,126对比区别

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型号 BS108ZL1 BS108ZL1G BS108,126

描述 N沟道TO-92-3封装场效应管小信号N沟道TO-92-3封装场效应管SPTAmmo N-CH 200V 0.3A

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) 200 V 200 V -

额定电流 250 mA 250 mA -

漏源极电阻 8.00 Ω 8.00 Ω 5 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 350 mW 350 mW 1 W

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 250 mA 250 mA 0.3A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

通道数 - - 1

输入电容(Ciss) - 150pF @25V(Vds) 120pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) - 350mW (Ta) 1W (Ta)

额定功率(Max) - 350 mW -

长度 5.2 mm 5.2 mm 4.8 mm

宽度 4.19 mm 4.19 mm 4.2 mm

高度 5.33 mm 5.33 mm 5.2 mm

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Ammo Pack Tape & Box (TB) Tape & Box (TB)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99 -