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BS108ZL1
ON Semiconductor 安森美 分立器件
BS108ZL1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 250 mA

漏源极电阻 8.00 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 350 mW

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 250 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Ammo Pack

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

BS108ZL1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BS108ZL1 ON Semiconductor 安森美 N沟道TO-92-3封装场效应管 搜索库存
替代型号BS108ZL1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BS108ZL1

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-92 N-Channel 200V 250mA 8Ω

当前型号

N沟道TO-92-3封装场效应管

当前型号

型号: BS108ZL1G

品牌: 安森美

封装: TO-92 N-Channel 200V 250mA 8ohms

完全替代

小信号N沟道TO-92-3封装场效应管

BS108ZL1和BS108ZL1G的区别

型号: BS107ARL1G

品牌: 安森美

封装: TO-92 N-Channel 200V 250mA 6.4ohms 60pF

类似代替

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BS108ZL1和BS107ARL1G的区别

型号: BS107ARL1

品牌: 安森美

封装: TO-92 N-Channel 200V 250mA 6.4ohms 60pF

类似代替

小信号MOSFET 250毫安, 200伏 Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts

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