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TLC27L2CDRG4、TLC27L2IDRG4、TS272CDT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLC27L2CDRG4 TLC27L2IDRG4 TS272CDT

描述 路LinCMOS精密双运算放大器 LinCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS路LinCMOS精密双运算放大器 LinCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERSSTMICROELECTRONICS  TS272CDT  运算放大器, 双路, 3.5 MHz, 2个放大器, 5.5 V/µs, 3V 至 16V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 - ≤30 mA 45 mA

供电电流 29 µA 29 µA 1 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 - - 8

共模抑制比 65 dB 65 dB 65 dB

带宽 85.0 kHz 85.0 kHz 3.5 MHz

转换速率 30.0 mV/μs 30.0 mV/μs 5.50 V/μs

增益频宽积 0.085 MHz 0.085 MHz 3.5 MHz

输入补偿电压 10 mV 10 mV 1.1 mV

输入偏置电流 0.7 pA 0.7 pA 1 pA

工作温度(Max) - 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ 0 ℃

增益带宽 - - 3.5 MHz

共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB 65 dB

电源电压 - - 3V ~ 16V

电源电压(Max) - - 16 V

电源电压(Min) - - 3 V

耗散功率 0.725 W 0.725 W -

输入补偿漂移 1.10 µV/K 1.10 µV/K -

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW -

宽度 - - 4 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99