SI2325DS-T1-GE3、SI2327DS-T1-GE3、SI2325DS-T1-E3对比区别

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型号 SI2325DS-T1-GE3 SI2327DS-T1-GE3 SI2325DS-T1-E3

描述 VISHAY  SI2325DS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -530 mA, -150 V, 1 ohm, -10 V, -4.5 VVISHAY  SI2327DS-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P沟道, -200V, 490mA, TO-236VISHAY  SI2325DS-T1-E3  场效应管, P通道, MOSFET, -150V, 690MA, TO-236

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23 SOT-23 TO-236

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 1 Ω 2.45 Ω 1.3 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 750 mW 750 mW 750 mW

漏源极电压(Vds) -150 V -200 V -150 V

连续漏极电流(Ids) -690 mA -490 mA -690 mA

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 750 mW - 0.75 W

高度 1.02 mm - 1.02 mm

封装 SOT-23 SOT-23 TO-236

长度 - - 3.04 mm

宽度 - - 1.4 mm

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

REACH SVHC标准 - - No SVHC