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2N697、JAN2N697对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N697 JAN2N697

描述 NPN中功率型硅开关晶体管 NPN MEDIUM POWER SILICON SWITCHING TRANSISTORNPN中功率型硅开关晶体管 NPN MEDIUM POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-5 TO-5

极性 - NPN

耗散功率 0.6 W 0.6 W

击穿电压(集电极-发射极) - 40 V

最小电流放大倍数(hFE) - 40 @150mA, 10V

额定功率(Max) - 600 mW

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 600 mW 600 mW

封装 TO-5 TO-5

材质 Silicon Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Discontinued at Digi-Key

包装方式 Bag Bag

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead

ECCN代码 EAR99 EAR99