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2N697

NPN中功率型硅开关晶体管 NPN MEDIUM POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR

has the solution to your circuit"s high-voltage requirements with their NPN general purpose bipolar junction transistor. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 600 mW. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -65 °C to 200 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 40 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.

2N697中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.6 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 600 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-5

外形尺寸

封装 TO-5

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

海关信息

ECCN代码 EAR99

2N697引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
2N697 Microsemi 美高森美 NPN中功率型硅开关晶体管 NPN MEDIUM POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR 搜索库存
替代型号2N697
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2N697

品牌: Microsemi 美高森美

封装: TO-5 600mW

当前型号

NPN中功率型硅开关晶体管 NPN MEDIUM POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR

当前型号

型号: JAN2N697

品牌: 美高森美

封装: TO-5 NPN 600mW

完全替代

NPN中功率型硅开关晶体管 NPN MEDIUM POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR

2N697和JAN2N697的区别

型号: 2N2222

品牌: Continental Device

封装:

功能相似

0.5W1/2W General Purpose NPN Metal Can Transistor. 30V Vceo, 0.8A Ic, 30 hFE.

2N697和2N2222的区别

型号: JAN2N2222

品牌: 雷神

封装:

功能相似

Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A IC, 30V VBRCEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-206AA, CASE 22-03, TO-18, 3 PIN

2N697和JAN2N2222的区别