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FDG327N、FDG327NZ对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDG327N FDG327NZ

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDG327N  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 20 V, 0.057 ohm, 4.5 V, 700 mVFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDG327NZ  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 20 V, 0.068 ohm, 4.5 V, 700 mV

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6

封装 SC-70-6 SC-70-6

额定电压(DC) 20.0 V 20.0 V

额定电流 1.50 A 1.50 A

针脚数 6 6

漏源极电阻 0.057 Ω 0.068 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 420 mW 420 mW

阈值电压 700 mV 700 mV

输入电容 423 pF 412 pF

栅电荷 4.50 nC 4.20 nC

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

漏源击穿电压 -60.0 V 20.0 V

栅源击穿电压 ±8.00 V ±8.00 V

连续漏极电流(Ids) 1.50 A 1.50 A

上升时间 6.5 ns 12 ns

输入电容(Ciss) 423pF @10V(Vds) 412pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 380 mW 380 mW

下降时间 2 ns 18 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 420mW (Ta) 420mW (Ta)

长度 2 mm 2 mm

宽度 1.25 mm 1.25 mm

高度 1 mm 1 mm

封装 SC-70-6 SC-70-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99