额定电压DC 20.0 V
额定电流 1.50 A
针脚数 6
漏源极电阻 0.068 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 420 mW
阈值电压 700 mV
输入电容 412 pF
栅电荷 4.20 nC
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids 1.50 A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 412pF @10VVds
额定功率Max 380 mW
下降时间 18 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 420mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 1 mm
封装 SC-70-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDG327NZ | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG327NZ 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 20 V, 0.068 ohm, 4.5 V, 700 mV | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FDG327NZ 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SC-70 N-Channel 20V 1.5A 90mohms 412pF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG327NZ 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 20 V, 0.068 ohm, 4.5 V, 700 mV | 当前型号 | |
型号: FDG315N 品牌: 飞兆/仙童 封装: SC-70-6 N-Channel 30V 2A 100mohms 220pF | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG315N 晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 30 V, 120 mohm, 10 V, 1.8 V | FDG327NZ和FDG315N的区别 | |
型号: FDG311N 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOT-363/SC70-6/TSSOP6/SC-88 N-Channel 20V 1.9A 115mohms 270pF | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG311N.. 场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 1.9A, SC-70 | FDG327NZ和FDG311N的区别 | |
型号: FDG327N 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOT-363/SC70-6/TSSOP6/SC-88 N-Channel 20V 1.5A 90mohms 423pF | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG327N 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 20 V, 0.057 ohm, 4.5 V, 700 mV | FDG327NZ和FDG327N的区别 |