AUIRF7665S2TR、IRF7665S2TRPBF、IRF6711STRPBF对比区别

高亮显示差异参数

型号 AUIRF7665S2TR IRF7665S2TRPBF IRF6711STRPBF

描述 INFINEON  AUIRF7665S2TR  晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 14.4 A, 100 V, 0.051 ohm, 10 V, 4 V 新INFINEON  IRF7665S2TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 14.4 A, 100 V, 51 mohm, 10 V, 4 VDirect-FET N-CH 25V 19A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 Direct-FET Direct-FET Direct-FET

额定功率 30 W 30 W -

针脚数 6 3 -

漏源极电阻 0.051 Ω 0.051 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 30 W 30 W 2.2 W

阈值电压 4 V 4 V -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 25 V

连续漏极电流(Ids) 4.1A 14.4A 19A

上升时间 6.4 ns 6.4 ns 13 ns

输入电容(Ciss) 515pF @25V(Vds) 515pF @25V(Vds) 1810pF @13V(Vds)

额定功率(Max) - 2.4 W -

下降时间 3.6 ns 3.6 ns 5.4 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 2.4W (Ta), 30W (Tc) 2.4W (Ta), 30W (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc)

通道数 1 - -

长度 - 4.85 mm -

宽度 3.95 mm 3.95 mm -

高度 - 0.7 mm -

封装 Direct-FET Direct-FET Direct-FET

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -