AUIRF7665S2TR
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Infineon
英飞凌
分立器件
AUIRF7665S2TR中文资料参数规格
技术参数
额定功率 30 W
通道数 1
针脚数 6
漏源极电阻 0.051 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 30 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 4.1A
上升时间 6.4 ns
输入电容Ciss 515pF @25VVds
下降时间 3.6 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.4W Ta, 30W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 Direct-FET
外形尺寸
宽度 3.95 mm
封装 Direct-FET
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17
AUIRF7665S2TR引脚图与封装图
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在线购买AUIRF7665S2TR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| AUIRF7665S2TR | Infineon 英飞凌 | INFINEON AUIRF7665S2TR 晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 14.4 A, 100 V, 0.051 ohm, 10 V, 4 V 新 | 搜索库存 |
替代型号AUIRF7665S2TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： AUIRF7665S2TR 品牌： Infineon 英飞凌 封装： DirectFET N-Channel 100V 4.1A | 当前型号 | INFINEON AUIRF7665S2TR 晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 14.4 A, 100 V, 0.051 ohm, 10 V, 4 V 新 | 当前型号 |
| 型号： IRF7665S2TRPBF 品牌： 英飞凌 封装： DirectFET N-Channel 100V 14.4A | 类似代替 | INFINEON IRF7665S2TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 14.4 A, 100 V, 51 mohm, 10 V, 4 V | AUIRF7665S2TR和IRF7665S2TRPBF的区别 |
| 型号： IRF6711STRPBF 品牌： 英飞凌 封装： Direct-FET N-CH 25V 19A | 类似代替 | Direct-FET N-CH 25V 19A | AUIRF7665S2TR和IRF6711STRPBF的区别 |