IRF6711STRPBF
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRF6711STRPBF中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 2.2 W
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 19A
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 1810pF @13VVds
下降时间 5.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 2.2W Ta, 42W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 Direct-FET
外形尺寸
封装 Direct-FET
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 MultiPhase ControlFET
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
IRF6711STRPBF引脚图与封装图
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在线购买IRF6711STRPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF6711STRPBF | Infineon 英飞凌 | Direct-FET N-CH 25V 19A | 搜索库存 |
替代型号IRF6711STRPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF6711STRPBF 品牌： Infineon 英飞凌 封装： Direct-FET N-CH 25V 19A | 当前型号 | Direct-FET N-CH 25V 19A | 当前型号 |
| 型号： IRF6711STR1PBF 品牌： 英飞凌 封装： Direct-FET N-CH 25V 19A | 完全替代 | Direct-FET N-CH 25V 19A | IRF6711STRPBF和IRF6711STR1PBF的区别 |
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