IPD090N03LGATMA1、IPD09N03LB G、IPD090N03LGBTMA1对比区别

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型号 IPD090N03LGATMA1 IPD09N03LB G IPD090N03LGBTMA1

描述 INFINEON  IPD090N03LGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0075 ohm, 10 V, 2.2 VTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3Pin(2+Tab) DPAKDPAK N-CH 30V 40A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

极性 N-Channel - N-CH

耗散功率 42 W 58W (Tc) 42 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 40A 50.0 A 40A

上升时间 - - 3 ns

输入电容(Ciss) 1600pF @15V(Vds) 1600pF @15V(Vds) 1600pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - - 42 W

下降时间 - - 2.6 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) 42W (Tc) 58W (Tc) 42W (Tc)

额定电压(DC) - 30.0 V -

额定电流 - 50.0 A -

输入电容 - 1.60 nF -

栅电荷 - 13.0 nC -

额定功率 42 W - -

通道数 1 - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.0075 Ω - -

阈值电压 2.2 V - -

长度 - - 6.5 mm

宽度 6.22 mm - 6.22 mm

高度 - - 2.3 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -