IPD090N03LGBTMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPD090N03LGBTMA1中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 42 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 40A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 1600pF @15VVds
额定功率Max 42 W
下降时间 2.6 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 42W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
IPD090N03LGBTMA1引脚图与封装图
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在线购买IPD090N03LGBTMA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPD090N03LGBTMA1 | Infineon 英飞凌 | DPAK N-CH 30V 40A | 搜索库存 |
替代型号IPD090N03LGBTMA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPD090N03LGBTMA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-252-3 N-CH 30V 40A | 当前型号 | DPAK N-CH 30V 40A | 当前型号 |
| 型号： IPD090N03LGATMA1 品牌： 英飞凌 封装： TO-252 N-Channel 30V 40A | 类似代替 | INFINEON IPD090N03LGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0075 ohm, 10 V, 2.2 V | IPD090N03LGBTMA1和IPD090N03LGATMA1的区别 |