FQP33N10、FQPF7N40、FDP4030L对比区别

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型号 FQP33N10 FQPF7N40 FDP4030L

描述 ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP33N10, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFETN沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 3 - -

额定电压(DC) - 400 V -

额定电流 - 4.60 A -

漏源极电阻 0.052 Ω 800 mΩ 55 mΩ

极性 - N-Channel N-CH

耗散功率 127 W 42W (Tc) 37.5 W

漏源极电压(Vds) 100 V 400 V 30 V

漏源击穿电压 - 400 V 30 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) - 4.60 A 20A

输入电容(Ciss) 1150pF @25V(Vds) 780pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 127 W 42 W -

耗散功率(Max) 127 W 42W (Tc) -

针脚数 3 - -

阈值电压 4 V - -

上升时间 195 ns - 8 ns

下降时间 110 ns - 10 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - 65 ℃

通道数 - - 1

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.67 mm - 10.67 mm

宽度 4.83 mm - 4.7 mm

高度 9.4 mm - 16.3 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Rail, Tube Tube Rail

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -