额定电压DC 400 V
额定电流 4.60 A
漏源极电阻 800 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 42W Tc
漏源极电压Vds 400 V
漏源击穿电压 400 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 4.60 A
输入电容Ciss 780pF @25VVds
额定功率Max 42 W
耗散功率Max 42W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FQPF7N40 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-220-3 N-Channel 400V 4.6A 800mohms | 当前型号 | 400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET | 当前型号 | |
型号: STD18N55M5 品牌: 意法半导体 封装: DPAK N-Channel 550V 16A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD18N55M5 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 V | FQPF7N40和STD18N55M5的区别 | |
型号: STD6N95K5 品牌: 意法半导体 封装: TO-252 N-Channel 950V 9A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD6N95K5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 950 V, 1 ohm, 10 V, 4 V | FQPF7N40和STD6N95K5的区别 | |
型号: FQP33N10 品牌: 安森美 封装: TO-220-3 | 功能相似 | ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP33N10, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装 | FQPF7N40和FQP33N10的区别 |