FDP4030L
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDP4030L中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 55 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 37.5 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 8 ns
下降时间 10 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Rail
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FDP4030L引脚图与封装图
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在线购买FDP4030L
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDP4030L | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor | 搜索库存 |
替代型号FDP4030L
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDP4030L 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220-3 N-CH 30V 20A | 当前型号 | N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor | 当前型号 |
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