IPD65R380E6ATMA1、IPD65R380E6BTMA1、IPD65R420CFDBTMA1对比区别

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型号 IPD65R380E6ATMA1 IPD65R380E6BTMA1 IPD65R420CFDBTMA1

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 VDPAK N-CH 700V 10.6ADPAK N-CH 700V 8.7A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 83 W 83 W 83.3 W

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 83 W 83W (Tc) 83.3W (Tc)

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V

连续漏极电流(Ids) 10.6A 10.6A 8.7A

上升时间 7 ns 7 ns 7 ns

输入电容(Ciss) 710pF @100V(Vds) 710pF @100V(Vds) 870pF @100V(Vds)

下降时间 8 ns 8 ns 8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 83W (Tc) 83W (Tc) 83.3W (Tc)

额定功率(Max) - - 83.3 W

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.34 Ω - -

阈值电压 3 V - -

长度 - 6.5 mm -

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.3 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅