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IPD65R420CFDBTMA1

IPD65R420CFDBTMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

DPAK N-CH 700V 8.7A

表面贴装型 N 通道 8.7A(Tc) 83.3W(Tc) PG-TO252-3


得捷:
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 700V 8.7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
650V CoolMOS™ CFD2 is Infineon"s second generation of market leading high voltage CoolMOS™ MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and therefore better EMI behavior gives this product a clear advantage in comparison with competitor parts.


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO252-3


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252


IPD65R420CFDBTMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 83.3 W

极性 N-CH

耗散功率 83.3W Tc

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 8.7A

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 870pF @100VVds

额定功率Max 83.3 W

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 83.3W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

IPD65R420CFDBTMA1引脚图与封装图
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在线购买IPD65R420CFDBTMA1
型号 制造商 描述 购买
IPD65R420CFDBTMA1 Infineon 英飞凌 DPAK N-CH 700V 8.7A 搜索库存
替代型号IPD65R420CFDBTMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPD65R420CFDBTMA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-252-3 N-CH 700V 8.7A

当前型号

DPAK N-CH 700V 8.7A

当前型号

型号: IPD65R420CFDATMA1

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-CH 650V 8.7A

完全替代

DPAK N-CH 650V 8.7A

IPD65R420CFDBTMA1和IPD65R420CFDATMA1的区别

型号: IPD65R380E6ATMA1

品牌: 英飞凌

封装: TO-252-3 N-CH 700V 10.6A

类似代替

晶体管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V

IPD65R420CFDBTMA1和IPD65R380E6ATMA1的区别