IPD65R380E6BTMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPD65R380E6BTMA1中文资料参数规格
技术参数
额定功率 83 W
极性 N-CH
耗散功率 83W Tc
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 10.6A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 710pF @100VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 83W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
IPD65R380E6BTMA1引脚图与封装图
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在线购买IPD65R380E6BTMA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPD65R380E6BTMA1 | Infineon 英飞凌 | DPAK N-CH 700V 10.6A | 搜索库存 |
替代型号IPD65R380E6BTMA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPD65R380E6BTMA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-252-3 N-CH 700V 10.6A | 当前型号 | DPAK N-CH 700V 10.6A | 当前型号 |
| 型号： IPD65R380C6ATMA1 品牌： 英飞凌 封装： TO-252 N-Channel 700V 10.6A | 类似代替 | INFINEON IPD65R380C6ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V | IPD65R380E6BTMA1和IPD65R380C6ATMA1的区别 |
| 型号： IPD65R380E6ATMA1 品牌： 英飞凌 封装： TO-252-3 N-CH 700V 10.6A | 类似代替 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V | IPD65R380E6BTMA1和IPD65R380E6ATMA1的区别 |