SI1303DL-T1-E3、SI1403CDL-T1-GE3对比区别

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型号 SI1303DL-T1-E3 SI1403CDL-T1-GE3

描述 VISHAY  SI1303DL-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -670 mA, -20 V, 0.36 ohm, -4.5 V, -1.4 VP 通道 MOSFET，8V 至 20V，Vishay Semiconductor

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 6

封装 SOT-323 SOT-363

针脚数 3 6

漏源极电阻 0.36 Ω 0.116 Ω

极性 P-Channel P-Channel

耗散功率 290 mW 900 mW

栅源击穿电压 ±12.0 V -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

阈值电压 - 600 mV

耗散功率(Max) - 0.568 W

长度 2.2 mm 2.05 mm

高度 1 mm 0.9 mm

封装 SOT-323 SOT-363

宽度 - 1.25 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Unknown -

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15