SI1403CDL-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.116 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 900 mW
阈值电压 600 mV
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.568 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363
外形尺寸
长度 2.05 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-363
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI1403CDL-T1-GE3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SI1403CDL-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI1403CDL-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | P 通道 MOSFET，8V 至 20V，Vishay Semiconductor | 搜索库存 |
替代型号SI1403CDL-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI1403CDL-T1-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SOT-363 P-Channel | 当前型号 | P 通道 MOSFET，8V 至 20V，Vishay Semiconductor | 当前型号 |
| 型号： SI1303DL-T1-E3 品牌： 威世 封装： SOT-323 P-Channel 430mΩ | 功能相似 | VISHAY SI1303DL-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -670 mA, -20 V, 0.36 ohm, -4.5 V, -1.4 V | SI1403CDL-T1-GE3和SI1303DL-T1-E3的区别 |