SI1303DL-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.36 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 290 mW
栅源击穿电压 ±12.0 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323
外形尺寸
长度 2.2 mm
高度 1 mm
封装 SOT-323
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI1303DL-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SI1303DL-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI1303DL-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI1303DL-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -670 mA, -20 V, 0.36 ohm, -4.5 V, -1.4 V | 搜索库存 |
替代型号SI1303DL-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI1303DL-T1-E3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SOT-323 P-Channel 430mΩ | 当前型号 | VISHAY SI1303DL-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -670 mA, -20 V, 0.36 ohm, -4.5 V, -1.4 V | 当前型号 |
| 型号： SI1403CDL-T1-GE3 品牌： 威世 封装： SOT-363 P-Channel | 功能相似 | P 通道 MOSFET，8V 至 20V，Vishay Semiconductor | SI1303DL-T1-E3和SI1403CDL-T1-GE3的区别 |