BSP149E6327、BSP149H6327XTSA1、BSP149L6327对比区别

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型号 BSP149E6327 BSP149H6327XTSA1 BSP149L6327

描述 Power Field-Effect Transistor, 0.48A I(D), 200V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PINBSP149 系列 200 V 3.5 Ohm N沟道 SIPMOS® 小信号 晶体管-PG-SOT-223200V,0.14A,N沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 晶体管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 3

封装 SOT-223 TO-261-4 SOT-223-3

额定电压(DC) 200 V - 200 V

额定电流 140 mA - 140 mA

输入电容 430 pF - 430 pF

栅电荷 14.0 nC - 14.0 nC

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 140 mA 0.66A 140 mA

上升时间 3.4 ns 3.4 ns -

输入电容(Ciss) 326pF @25V(Vds) 430pF @25V(Vds) -

下降时间 21 ns 21 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1800 mW 1.8W (Ta) -

极性 - N-CH N-Channel

耗散功率 - 1.8 W 1.80 W

额定功率 - 1.8 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 4 -

漏源极电阻 - 1 Ω -

阈值电压 - 1.4 V -

额定功率(Max) - 1.8 W -

封装 SOT-223 TO-261-4 SOT-223-3

长度 - 6.5 mm -

宽度 - 3.5 mm -

高度 - 1.6 mm -

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -