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BSP149H6327XTSA1

BSP149H6327XTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

BSP149 系列 200 V 3.5 Ohm N沟道 SIPMOS® 小信号 晶体管-PG-SOT-223

SIPMOS® N 通道 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4


欧时:
Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP149H6327XTSA1, 660 mA, Vds=200 V, 3针+焊片 SOT-223封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin SOT-223 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.66A; 1.8W; SOT223


Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223


BSP149H6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 1.8 W

通道数 1

针脚数 4

漏源极电阻 1 Ω

极性 N-CH

耗散功率 1.8 W

阈值电压 1.4 V

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 0.66A

上升时间 3.4 ns

输入电容Ciss 430pF @25VVds

额定功率Max 1.8 W

下降时间 21 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.8W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 3.5 mm

高度 1.6 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Automotive, Onboard charger

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BSP149H6327XTSA1引脚图与封装图
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在线购买BSP149H6327XTSA1
型号 制造商 描述 购买
BSP149H6327XTSA1 Infineon 英飞凌 BSP149 系列 200 V 3.5 Ohm N沟道 SIPMOS® 小信号 晶体管-PG-SOT-223 搜索库存
替代型号BSP149H6327XTSA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： BSP149H6327XTSA1

品牌： Infineon 英飞凌

封装： REEL N-CH 200V 0.66A

当前型号

BSP149 系列 200 V 3.5 Ohm N沟道 SIPMOS® 小信号 晶体管-PG-SOT-223

当前型号

型号： BSP149

品牌： 英飞凌

封装： SOT-223 N-Channel 200V 480mA

功能相似

INFINEON  BSP149  晶体管, MOSFET, N沟道, 480 mA, 200 V, 3.5 ohm, 10 V, -1.4 V

BSP149H6327XTSA1和BSP149的区别

型号： BSP149E6327

品牌： 英飞凌

封装： SOT-223 200V 140mA

功能相似

Power Field-Effect Transistor, 0.48A ID, 200V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN

BSP149H6327XTSA1和BSP149E6327的区别