BSP149L6327
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Infineon
英飞凌
分立器件
BSP149L6327中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 140 mA
极性 N-Channel
耗散功率 1.80 W
输入电容 430 pF
栅电荷 14.0 nC
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 140 mA
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-223-3
外形尺寸
封装 SOT-223-3
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BSP149L6327引脚图与封装图
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在线购买BSP149L6327
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSP149L6327 | Infineon 英飞凌 | 200V,0.14A,N沟道功率MOSFET | 搜索库存 |
替代型号BSP149L6327
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSP149L6327 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SOT-223 N-Channel 200V 140mA 430pF | 当前型号 | 200V,0.14A,N沟道功率MOSFET | 当前型号 |
| 型号： BSP149L6906 品牌： 英飞凌 封装： SOT-223 N-Channel 200V 140mA 430pF | 类似代替 | MOSFET N-CH 200V 660mA SOT-223 | BSP149L6327和BSP149L6906的区别 |
| 型号： BSP149E6327 品牌： 英飞凌 封装： SOT-223 200V 140mA | 类似代替 | Power Field-Effect Transistor, 0.48A ID, 200V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN | BSP149L6327和BSP149E6327的区别 |
| 型号： BSP149 品牌： 英飞凌 封装： SOT-223 N-Channel 200V 480mA | 功能相似 | INFINEON BSP149 晶体管, MOSFET, N沟道, 480 mA, 200 V, 3.5 ohm, 10 V, -1.4 V | BSP149L6327和BSP149的区别 |