STB10NK60Z-1、STB6NK60Z-1、STB13NK60Z-1对比区别

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型号 STB10NK60Z-1 STB6NK60Z-1 STB13NK60Z-1

描述 N沟道600V - 0.65OHM - 10A - I2 / D2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247齐纳保护超网TM功率MOSFET N-channel 600V - 0.65OHM - 10A - I2/D2PAK - TO-220/FP - TO-247 Zener-protected SuperMESH TM Power MOSFETN沟道600 V - 1ヘ - 6 A - TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK / I2PAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 600 V - 1 ヘ - 6 A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩ Power MOSFETN沟道600V - 0.48ヘ-13A - TO- 220 / FP - D / IPAK - TO- 247齐纳保护SuperMESH⑩ MOSFET N-CHANNEL 600V-0.48ヘ-13A-TO-220/FP-D/IPAK-TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-262-3 TO-262-3 I2PAK

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 600 V - -

额定电流 10.0 A - -

漏源极电阻 750 mΩ - -

极性 N-Channel - N-CH

耗散功率 115 W 110W (Tc) -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

漏源击穿电压 600 V - -

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 10.0 A - 13A

上升时间 20 ns 14 ns 14 ns

输入电容(Ciss) 1370pF @25V(Vds) 905pF @25V(Vds) 2030pF @25V(Vds)

下降时间 30 ns 19 ns 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 115W (Tc) 110W (Tc) 150000 mW

输入电容 - 905 pF -

额定功率(Max) - 110 W -

长度 10 mm - -

宽度 4.4 mm - -

高度 8.95 mm - -

封装 TO-262-3 TO-262-3 I2PAK

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -