STB13NK60Z-1
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ST Microelectronics
意法半导体
电子元器件分类
STB13NK60Z-1中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 13A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 2030pF @25VVds
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150000 mW
封装参数
引脚数 3
封装 I2PAK
外形尺寸
封装 I2PAK
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
STB13NK60Z-1引脚图与封装图
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在线购买STB13NK60Z-1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STB13NK60Z-1 | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道600V - 0.48ヘ-13A - TO- 220 / FP - D / IPAK - TO- 247齐纳保护SuperMESH⑩ MOSFET N-CHANNEL 600V-0.48ヘ-13A-TO-220/FP-D/IPAK-TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STB13NK60Z-1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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