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BUK9875-100A、FDT3612、BUK9875-100A,115对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK9875-100A FDT3612 BUK9875-100A,115

描述 的TrenchMOS逻辑电平FET TrenchMOS logic level FETPowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。SC-73 N-CH 100V 7A

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

引脚数 3 3 4

封装 SOT-223 TO-261-4 TO-261-4

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 8 W 3 W 8 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 7.00 A 10.2 A 7.00 A

上升时间 - 2 ns 120 ns

输入电容(Ciss) - 632pF @50V(Vds) 1690pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 1.1 W 8 W

下降时间 - 4.5 ns 57 ns

耗散功率(Max) - 3 W 8W (Tc)

额定电压(DC) - 100 V -

额定电流 - 3.70 A -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 120 mΩ -

阈值电压 - 2.5 V -

输入电容 - 632 pF -

栅电荷 - 14.0 nC -

漏源击穿电压 - 100 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 SOT-223 TO-261-4 TO-261-4

长度 - 6.5 mm -

宽度 - 3.56 mm -

高度 - 1.6 mm -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99 -