FDT3612
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDT3612中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 3.70 A
针脚数 3
漏源极电阻 120 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3 W
阈值电压 2.5 V
输入电容 632 pF
栅电荷 14.0 nC
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 10.2 A
上升时间 2 ns
输入电容Ciss 632pF @50VVds
额定功率Max 1.1 W
下降时间 4.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-261-4
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 3.56 mm
高度 1.6 mm
封装 TO-261-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDT3612引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDT3612
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDT3612 | Fairchild 飞兆/仙童 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 搜索库存 |
替代型号FDT3612
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDT3612 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOT-223 N-Channel 30V 10.2A 88mohms 632pF | 当前型号 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 当前型号 |
| 型号： PHT6NQ10T,135 品牌： 恩智浦 封装： SOT-223 N-Channel 100V 6.5A | 功能相似 | N 通道 MOSFET，1A 至 9A，NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors | FDT3612和PHT6NQ10T,135的区别 |
| 型号： BUK9875-100A 品牌： 恩智浦 封装： SC-73 N-Channel 100V 7A | 功能相似 | 的TrenchMOS逻辑电平FET TrenchMOS logic level FET | FDT3612和BUK9875-100A的区别 |
| 型号： FDT3612_NL 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | 100V N-Channel PowerTrench MOSFET | FDT3612和FDT3612_NL的区别 |