极性 N-Channel
耗散功率 8 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 7.00 A
引脚数 3
封装 SOT-223
封装 SOT-223
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BUK9875-100A | NXP 恩智浦 | 的TrenchMOS逻辑电平FET TrenchMOS logic level FET | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BUK9875-100A 品牌: NXP 恩智浦 封装: SC-73 N-Channel 100V 7A | 当前型号 | 的TrenchMOS逻辑电平FET TrenchMOS logic level FET | 当前型号 | |
型号: BUK9875-100A,115 品牌: 恩智浦 封装: TO-261AA N-Channel 100V 7A | 类似代替 | SC-73 N-CH 100V 7A | BUK9875-100A和BUK9875-100A,115的区别 | |
型号: FDT3612 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOT-223 N-Channel 30V 10.2A 88mohms 632pF | 功能相似 | PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | BUK9875-100A和FDT3612的区别 | |
型号: ZXMN10A25GTA 品牌: 美台 封装: SOT-223 N-CH 100V 4A | 功能相似 | N沟道 100V 2.9A | BUK9875-100A和ZXMN10A25GTA的区别 |