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W3H32M64E-400SBI、W3H32M64E-667SBI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 W3H32M64E-400SBI W3H32M64E-667SBI

描述 DRAM Module DDR2 SDRAM 2GbitW3H32M64E-667SBI

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

引脚数 - 208

封装 BGA FBGA

存取时间(Max) - 0.65 ns

工作温度(Max) - 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

封装 BGA FBGA

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Bulk Bulk

RoHS标准 -

ECCN代码 - 4A994.a