W3H32M64E-667SBI
数据手册.pdf
Microsemi
美高森美
主动器件
W3H32M64E-667SBI中文资料参数规格
技术参数
存取时间Max 0.65 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
封装参数
引脚数 208
封装 FBGA
外形尺寸
封装 FBGA
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准
海关信息
ECCN代码 4A994.a
W3H32M64E-667SBI引脚图与封装图
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在线购买W3H32M64E-667SBI
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| W3H32M64E-667SBI | Microsemi 美高森美 | W3H32M64E-667SBI | 搜索库存 |
替代型号W3H32M64E-667SBI
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： W3H32M64E-667SBI 品牌： Microsemi 美高森美 封装： BGA | 当前型号 | W3H32M64E-667SBI | 当前型号 |
| 型号： W3H32M64E-400SBI 品牌： 美高森美 封装： BGA | 功能相似 | DRAM Module DDR2 SDRAM 2Gbit | W3H32M64E-667SBI和W3H32M64E-400SBI的区别 |