BSB014N04LX3GXUMA1、BSC010N04LSATMA1、BSC010N04LSIATMA1对比区别

高亮显示差异参数

型号 BSB014N04LX3GXUMA1 BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSIATMA1

描述 Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装（无铅） 超低 Rds(on) ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能INFINEON  BSC010N04LSATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.00085 ohm, 10 V, 2 V晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 900 µohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 8 8

封装 MG-WDSON-2 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8

额定功率 89 W 139 W 139 W

通道数 - - 1

针脚数 2 8 8

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 89 W 139 W 139 W

阈值电压 2 V 2 V 1.2 V

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

漏源击穿电压 - - 40 V

连续漏极电流(Ids) 36A 100A 37A

上升时间 8.4 ns 12 ns 48 ns

输入电容(Ciss) 12700pF @20V(Vds) 6800pF @20V(Vds) 6200pF @20V(Vds)

下降时间 10 ns 9 ns 17 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 89 W 2.5W (Ta), 139W (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc)

额定功率(Max) - 2.5 W -

漏源极电阻 0.0012 Ω - -

长度 6.35 mm 6.1 mm 5.9 mm

宽度 5.05 mm 5.35 mm 5.15 mm

高度 0.6 mm 1.1 mm 1.27 mm

封装 MG-WDSON-2 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 No SVHC - -