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BSC010N04LSIATMA1

BSC010N04LSIATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 900 µohm, 10 V, 2 V

Summary of Features:

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Optimized for synchronous rectification
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15% lower R DSon than alternative devices
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31% improvement of FOM over similar devices
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Integrated Schottky-like diode
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RoHS compliant - halogen free
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MSL1 rated

Benefits:

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Highest system efficiency
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Less paralleling required
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Increased power density
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System cost reduction
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Very low voltage overshoot
BSC010N04LSIATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 139 W

通道数 1

针脚数 8

极性 N-CH

耗散功率 139 W

阈值电压 1.2 V

漏源极电压Vds 40 V

漏源击穿电压 40 V

连续漏极电流Ids 37A

上升时间 48 ns

输入电容Ciss 6200pF @20VVds

下降时间 17 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 139W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TDSON-8

外形尺寸

长度 5.9 mm

宽度 5.15 mm

高度 1.27 mm

封装 PG-TDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Synchronous rectification, Isolated DC-DC converters, Or-ing switches

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

BSC010N04LSIATMA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BSC010N04LSIATMA1 Infineon 英飞凌 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 900 µohm, 10 V, 2 V 搜索库存
替代型号BSC010N04LSIATMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： BSC010N04LSIATMA1

品牌： Infineon 英飞凌

封装： TDSON-8 N-CH 40V 37A

当前型号

晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 900 µohm, 10 V, 2 V

当前型号

型号： BSC010N04LSATMA1

品牌： 英飞凌

封装： REEL N-Channel 40V 100A

类似代替

INFINEON  BSC010N04LSATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.00085 ohm, 10 V, 2 V

BSC010N04LSIATMA1和BSC010N04LSATMA1的区别

型号： BSC014N04LSIATMA1

品牌： 英飞凌

封装： TDSON N-Channel 40V 31A

类似代替

INFINEON  BSC014N04LSIATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.0012 ohm, 10 V, 2 V

BSC010N04LSIATMA1和BSC014N04LSIATMA1的区别

型号： BSB014N04LX3GXUMA1

品牌： 英飞凌

封装： REEL N-Channel 40V 36A

功能相似

Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装（无铅） 超低 Rdson ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

BSC010N04LSIATMA1和BSB014N04LX3GXUMA1的区别