DS1225Y-200+

Maxim Integrated(美信) 电子元器件分类

Non-Volatile SRAM Module, 8KX8, 200ns, CMOS, 0.72INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-28

NVSRAM（非易失性 SRAM）存储器 IC 64Kb（8K x 8）并联 200 ns 28-EDIP

得捷:
IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP

贸泽:
NVRAM 64k Nonvolatile SRAM

安富利:
NVRAM NVSRAM Parallel 64K-Bit 5V 28-Pin EDIP

Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 64K-Bit 5V 28-Pin EDIP

TME:
Memory; NV SRAM; 8kx8bit; 4.5÷5.5V; 200ns; DIP28

Win Source:
IC NVSRAM 64KBIT 200NS 28EDIP

DS1225Y-200+中文资料参数规格

技术参数

工作电压 4.5V ~ 5.5V

存取时间 200 ns

内存容量 2000 B

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 28

封装 EDIP-28

外形尺寸

长度 39.12 mm

宽度 18.29 mm

高度 9.4 mm

封装 EDIP-28

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

DS1225Y-200+引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
DS1225Y-200+	Maxim Integrated 美信	Non-Volatile SRAM Module, 8KX8, 200ns, CMOS, 0.72INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-28	搜索库存

替代型号DS1225Y-200+

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： DS1225Y-200+ 品牌： Maxim Integrated 美信封装： EDIP 2000B 28Pin	当前型号	Non-Volatile SRAM Module, 8KX8, 200ns, CMOS, 0.72INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-28	当前型号
型号： DS1225AD-200+ 品牌：美信封装： DIP 8000B 5V 200ns 28Pin	类似代替	MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1225AD-200+ 芯片, 存储器, NVRAM	DS1225Y-200+和DS1225AD-200+的区别
型号： DS1225AB-200+ 品牌：美信封装： DIP 8000B 5V 200ns 28Pin	类似代替	MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1225AB-200+ 芯片, 存储器, NVRAM	DS1225Y-200+和DS1225AB-200+的区别
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