FDB4020P、FDB6021P对比区别

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型号 FDB4020P FDB6021P

描述 P沟道2.5V指定增强型场效应晶体管 P-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor20V P沟道1.8V指定的PowerTrench MOSFET 20V P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3

封装 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) -20.0 V -20.0 V

额定电流 -16.0 A -28.0 A

漏源极电阻 80.0 mΩ 30.0 mΩ

极性 P-Channel P-Channel

耗散功率 37.5W (Tc) 37 W

输入电容 665 pF 1.89 nF

栅电荷 9.50 nC 20.0 nC

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

栅源击穿电压 ±8.00 V ±8.00 V

连续漏极电流(Ids) 16.0 A -28.0 A

上升时间 24.0 ns 10 ns

输入电容(Ciss) 665pF @10V(Vds) 1890pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 37.5 W 37 W

下降时间 - 50 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) 37.5W (Tc) 37W (Tc)

漏源击穿电压 -40.0 V -

长度 - 10.67 mm

宽度 - 9.65 mm

高度 - 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -65℃ ~ 175℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99