![FDB4020P](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_152/chanpintu/fdb4020p-W789ZU60-yoD7np3q0.png)
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -16.0 A
漏源极电阻 80.0 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 37.5W Tc
输入电容 665 pF
栅电荷 9.50 nC
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 -40.0 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids 16.0 A
上升时间 24.0 ns
输入电容Ciss 665pF @10VVds
额定功率Max 37.5 W
耗散功率Max 37.5W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDB4020P | Fairchild 飞兆/仙童 | P沟道2.5V指定增强型场效应晶体管 P-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FDB4020P 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-263 P-Channel 20V 16A 80mohms 665pF | 当前型号 | P沟道2.5V指定增强型场效应晶体管 P-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor | 当前型号 | |
型号: FDB6021P 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-263 P-Channel -20V -28A 30mohms 1.89nF | 类似代替 | 20V P沟道1.8V指定的PowerTrench MOSFET 20V P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET | FDB4020P和FDB6021P的区别 |