FDB6021P
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDB6021P中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -28.0 A
漏源极电阻 30.0 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 37 W
输入电容 1.89 nF
栅电荷 20.0 nC
漏源极电压Vds 20 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids -28.0 A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 1890pF @10VVds
额定功率Max 37 W
下降时间 50 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 37W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDB6021P引脚图与封装图
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在线购买FDB6021P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDB6021P | Fairchild 飞兆/仙童 | 20V P沟道1.8V指定的PowerTrench MOSFET 20V P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDB6021P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDB6021P 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-263 P-Channel -20V -28A 30mohms 1.89nF | 当前型号 | 20V P沟道1.8V指定的PowerTrench MOSFET 20V P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FDB4020P 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-263 P-Channel 20V 16A 80mohms 665pF | 类似代替 | P沟道2.5V指定增强型场效应晶体管 P-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor | FDB6021P和FDB4020P的区别 |