FZT949TA、FZT949TC、ZXTP2008GTA对比区别

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型号 FZT949TA FZT949TC ZXTP2008GTA

描述 三极管双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP HighCt Low SatZXTP2008GTA 编带

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 4 - 4

封装 TO-261-4 SOT-223-4 TO-261-4

频率 100 MHz - 110 MHz

额定电压(DC) -30.0 V - -30.0 V

额定电流 -5.50 A - -5.50 A

极性 PNP - PNP

耗散功率 3 W 3 W 3 W

击穿电压(集电极-发射极) 30 V - 30 V

集电极最大允许电流 5.5A - 5.5A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @1A, 1V - 100 @1A, 1V

额定功率(Max) 3 W - 3 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3000 mW - 3000 mW

额定功率 3 W - -

最大电流放大倍数(hFE) 100 - -

封装 TO-261-4 SOT-223-4 TO-261-4

长度 6.7 mm 6.7 mm -

宽度 3.7 mm 3.7 mm -

高度 1.65 mm 1.65 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 - - EAR99