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ZXTP2008GTA

ZXTP2008GTA

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Diodes(美台) 分立器件

ZXTP2008GTA 编带

- 双极 BJT - 单 PNP 110MHz 表面贴装型 SOT-223


立创商城:
PNP 30V 5.5A


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TRANS PNP 30V 5.5A SOT223-3


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ZXTP2008GTA中文资料参数规格
技术参数

频率 110 MHz

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -5.50 A

极性 PNP

耗散功率 3 W

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 5.5A

最小电流放大倍数hFE 100 @1A, 1V

额定功率Max 3 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

ZXTP2008GTA引脚图与封装图
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在线购买ZXTP2008GTA
型号 制造商 描述 购买
ZXTP2008GTA Diodes 美台 ZXTP2008GTA 编带 搜索库存
替代型号ZXTP2008GTA
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： ZXTP2008GTA

品牌： Diodes 美台

封装： SOT-223 PNP 30V 5.5A 3000mW

当前型号

ZXTP2008GTA 编带

当前型号

型号： FZT949TA

品牌： 美台

封装： SOT-223 PNP 30V 5.5A 3000mW

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封装： SOT-223 PNP 30V 5.5A 3000mW

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